EUV光刻，有变

EUV（极紫外线）光刻技术是当前半导体制造领域中最尖端的技术之一，主要用于7nm及以下工艺节点的芯片生产。最近关于EUV光刻技术的变化或进展，可以从以下几个方面来了解：

1. 技术改进：ASML作为EUV光刻机的主要供应商，一直在不断优化其产品性能，比如提高光源功率、增强光学系统等，以提升EUV光刻机的生产效率和良率。

2. 应用扩展：除了传统的逻辑芯片制造，EUV光刻技术也开始被应用于更广泛的领域，如3D NAND闪存的生产。这表明EUV光刻技术正在逐渐成熟，并且其应用场景正在不断扩大。

3. 下一代技术探索：虽然EUV光刻技术已经非常先进，但业界已经开始研究下一代光刻技术，如高数值孔径EUV（High-NA EUV），以应对未来更小节点的挑战。

4. 供应链稳定：随着全球半导体供应链紧张状况的持续，确保EUV光刻机及相关材料的供应稳定性成为了重要议题。ASML也在积极与合作伙伴合作，以应对可能的供应链风险。

5. 成本控制：尽管EUV光刻技术带来了更高的生产效率，但高昂的成本仍然是一个挑战。因此，降低成本、提高性价比也是行业关注的重点方向之一。

总之，EUV光刻技术正处在快速发展阶段，面对着新的机遇与挑战。这些变化不仅体现了技术的进步，也反映了整个半导体产业生态系统的动态调整。

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